本网讯 11月23日下午，西安电子科技大学张进成教授应我校电子工程学院邀请在长安校区作题为“第三代半导体技术发展与展望”的学术讲座，电子工程学院院长杜慧敏主持报告会，学院部分教师和近两百名学生参加了报告会。

报告中，张进成教授从宽禁带半导体的优势、应用领域、发展趋势等几方面展开讲述，系统的阐明了电子器件的发展历程、半导体材料的发展、GaN发光器件、GaN与SiC晶体的生长、成核层的变迁等方面知识，强调了研究宽禁带半导体的重大意义，并介绍了宽禁带半导体技术科研团队的一系列研究成果。张进成教授是宽带隙半导体技术国防重点学科实验室副主任，先后承担和作为主要负责人参加了省部级以上科研项目20余项，作为主要负责人之一成功研制出我国具有自主产权的低缺陷氮化物材料生长的表面反应增强MOCVD设备和高铝组份GaN异质结构微波材料，性能指标达到了国际先进水平。报告最后，张进成教授对第三代半导体的应用前景、市场潜力及发展趋势进行了展望。  

张进成教授的报告深入浅出，开拓了与会师生的专业视野，为我校第三届“大学生科技文化节”营造了良好科技文化氛围。  

（供稿：电子工程学院）